（原标题：移动HBM股合网，一场炒作骗局）
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来源 ：内容来自pc.watch 。
超高带宽 DRAM 模块技术 HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器) 的移动设备版本——移动 HBM (Mobile HBM)，近期在科技媒体中引起关注。多家来自韩国和美国的媒体在 2025 年 5 月之后相继报道称，2027 年款的旗舰智能手机将采用这种技术（尚未得到确认）。
那么，移动 HBM 模块与传统的 HBM 模块有什么不同？本文将先对原本的 HBM 模块进行简要说明，再揭示所谓“移动 HBM”的真相。
HBM 的特点：DRAM 的 3D TSV 堆叠与超宽 I/O 总线
HBM 模块的主要用途是作为 AI/机器学习用 GPU、TPU 等超高性能处理器的外部存储器。处理器与多个 HBM 模块（通常为 4/6/8/12 个）被紧密集成在同一个硅中介层（Interposer）上，并封装在一个 BGA 封装内。这样，处理器与 HBM 模块之间的数据传输速度极快，与其他 DRAM 模块相比，可显著提升机器学习的训练和推理性能。
HBM 采用 3D 堆叠结构：底层为逻辑芯片 Base Die，其上堆叠多个 DRAM Core Die，并通过 TSV (硅通孔) 铜柱电极与中介层及芯片间连接。
HBM DRAM 芯片具有 1024bit I/O 总线，传输距离极短，非常适合宽带传输。HBM3 的速率为 7–8Gbps/Pin，HBM3E可达10Gbps/Pin。以 8Gbps/Pin 为例，单模块带宽可达 1024GB/s。
堆叠的 DRAM 芯片数通常为 8/12/16 片，以此扩展容量。例如单片容量为 16Gb (2GB)，12 层堆叠则为 24GB，若同一中介层上搭载 8 个模块股合网，总容量可达 192GB。
移动 HBM 的传闻源头：韩国媒体 ETnews
HBM 模块体积庞大、速度极高、成本极贵，而且功耗极大，因此并不适合直接应用在移动设备上。
尽管如此，“移动 HBM 将被开发并用于手机”的消息仍然出现在部分媒体报道中。追溯来源，实际上是韩国科技媒体 ETnews 于 2025 年 5 月 14 日在一篇关于 iPhone 20 周年纪念机型（即 2027 款） 的推测文章中，提到该机型可能采用 “Mobile HBM” 或LLW (Low Latency Wide I/O) DRAM。之后，其他媒体的报道几乎都直接或间接引用了 ETnews，其中甚至有媒体几乎是照搬并翻译。
ETnews 报道中的这一表述，引发了外界的误解和混淆。人们很自然会把“Mobile HBM”理解为“低功耗版 HBM”，但事实并非如此。
LLW DRAM 的线索
所谓 LLW DRAM，实际上是三星在 2023–2024 年间公布的一种面向终端 AI 的低功耗 DRAM。其目标规格是：带宽 128GB/s（接近 HBM1），能耗仅 1.2pJ/bit。
此外，TechInsights 在 2024 年 10 月的拆解报告中发现，苹果的 AR/VR 头显 Vision Pro 的实时处理器 R1 APL1W08 与多颗 SK hynix 的 1Gbit LLW DRAM 芯片，被封装在一个 InFO-M（扇出型多芯片封装）内，由台积电组装。这种封装方式是芯片并排布局，而非 HBM 那样的 3D 堆叠，但带宽可达 256GB/s，接近 HBM2。
这表明 LLW DRAM 的思路是通过 宽 I/O 总线 实现高带宽，而非采用 HBM 的 TSV 堆叠。
“移动 HBM”的真相
ETnews 的文章还提到，SK hynix 的 VFO 和三星的 VCS 两种新型封装技术，被称作 Mobile HBM 或 LLW DRAM。
实际上，VFO 与 VCS 都是 小型化、薄型化的 3D 封装技术。它们与传统的 FPBGA（细间距球栅阵列封装） 类似，但采用垂直铜柱电极 + RDL（再布线层）基板，从而缩短连线距离、降低厚度并提高传输速度。
然而，这些技术本质上与 HBM 完全不同。三星与海力士本身也没有使用 “Mobile HBM” 这一称呼，而 JEDEC 作为内存标准组织，也从未定义过“Mobile HBM”。
因此，所谓移动 HBM，更可能是 ETnews 的造词，被其他媒体借用以吸引眼球。它在技术上并不成立，容易引发误解，应避免将相关 DRAM 技术或封装技术称为“Mobile HBM”。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2044902.html
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